联系我们

总部地址:浙江省台州市椒江区章安街道东埭码头
销售部电话:0576-88786518
采购部:0576-88786567
传真:0576-88786538

中间体系列
火狐体育手机登录:用纳米线技术制造超快晶体管
发布时间:2022-08-02 08:30:33 来源:火狐体育手机登录 作者:火狐体育官网首页

  随着摩尔定律慢慢走到尽头,研究人员一直在广泛地寻找可能使晶体管性能不断提高的新技术。在这些技术中,纳米线受到了大量的研究关注。

  最近,来自 HZDR 的研究人员宣布,他们已经通过实验证明了长期以来关于张力下纳米线(NanowiresUnder Tension)的理论预测。

  从最基本的意义上说,纳米线是直径在纳米量级的纳米结构。虽然这似乎是一个微不足道的定义,但该技术可能会对电子产品产生重大影响。

  纳米线技术的基本吸引力之一是它们表现出强大的电学特性,包括由于其有效的一维结构而产生的高电子迁移率。

  几十年来,研究人员一直试图将纳米线技术应用于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),其中一种流行的应用是环栅 (GAA) FET(场效应晶体管)。

  与碳纳米管等竞争技术相比,纳米线的一个显着优势是纳米线由常见材料制成,例如砷化镓(GaAs),它具有标准的晶体结构和均匀的电子特性。这种更常见材料的使用为该技术提供了一定程度的可预测性和易于制造性,这对于先进的节点技术很重要。

  正如Nature上的HZDR 论文所述,最近的研究表明,理论上,设计人员可以通过在材料上施加拉伸应变来进一步提高纳米线的性能。

  理论是,当流体静力学拉伸应变(所有三个维度的膨胀)被施加到 GaA纳米线时,其电性能会发生调节。

  此外,流体静力拉伸应变 GaA 的能带结构计算还可以预期电子的有效质量会显着降低,这意味着更高的电子迁移率。

  从本质上讲,先前的研究已经通过实验预测,通过对纳米线施加拉伸应变,该设备的性能甚至可以比以前更好。

  到目前为止,研究人员只是在数学上探索了这一理论,但在HZDR 团队的新论文中,该小组通过实验测试了这一理论。

  然后,研究人员使用光学激光脉冲释放材料内部的电子来测量纳米线的电子迁移率,这种技术称为非接触式光谱学。

  释放电子后,研究人员对纳米线施加后续的高频脉冲,导致电子振荡。然后研究人员可以根据振荡持续的时间来测量电子的迁移率;振荡时间越长,电子迁移率越高。

  测量到未应变纳米线和块状 GaAs 的相对迁移率增加约为 30%。研究人员认为,他们可以在具有更大晶格失配的材料中实现更显着的增加。

上一篇:艾迪药业“左右逢源”:与原料药企 下一篇:绿化生态环境飙动力省油晶体助力“